杂志简介：《半导体技术》杂志经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，是一本综合性较强的电子期刊。该刊是一份月刊，致力于发表电子领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目：趋势与展望、半导体集成电路、半导体器件、半导体制备技术、先进封装技术
《半导体技术》经新闻出版总署批准，自1976年创刊，国内刊号为13-1109/TN，本刊积极探索、勇于创新，栏目设置及内容节奏经过编排与改进，受到越来越多的读者喜爱。
《半导体技术》以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极的作用。
《半导体技术》杂志学者发表主要的研究主题主要有以下内容：
（一）化学机械抛光；CMP；抛光液；去除速率；ULSI
（二）BICMOS；超大规模集成电路；双极互补金属氧化物半导体；功耗；低功耗
（三）微波单片集成电路；MMIC；砷化镓；宽带；单片微波集成电路
（四）肖特基二极管；氧化镓；场效应晶体管；金刚石；衬底
（五）砷化镓；GAAS；太阳电池；磷化铟；半绝缘
（六）砷化镓；MMIC；微波单片集成电路；功率放大器；毫米波
（七）GAN；微波器件；SIC_MESFET；MMIC；碳化硅
（八）GAN；高电子迁移率晶体管；MEMS；HEMT；MMIC
（九）BICMOS；超大规模集成电路；功耗；开关电源；教学改革
（十）知识生产；半导体；集成电路；技术创新；工业工程
1、来稿要求论点明确、论据可靠、文字精炼、图表清晰、行文通顺、体例规范，内容注意保守国家机密。
2、文中如出现外国人名，第一次出现时需译成汉语，用括号标注外文原名，以后出现时直接用汉译人名。
3、“一”后加“、”号，“l”后加“．”，（一）、(l)不加任何标点，‘第一”、‘首先”后面均要加“，”号。
4、引用文献作者不超过3人的全部著录；超过则只列出前3人，后加“，等.”。
5、作者简介包括以下内容：真实姓名、出生年份、性别、籍贯、职称、专业学位和研究方向。
立即指数：立即指数 (Immediacy Index)是指用某一年中发表的文章在当年被引用次数除以同年发表文章的总数得到的指数；该指数用来评价哪些科技期刊发表了大量热点文章，进而能够衡量该期刊中发表的研究成果是否紧跟研究前沿的步伐。
引证文献：又称来源文献，是指引用了某篇文章的文献，是对本文研究工作的继续、应用、发展或评价。这种引用关系表明了研究的去向，经过验证，引证文献数等于该文献的被引次数。引证文献是学术论著撰写中不可或缺的组成部分，也是衡量学术著述影响大小的重要因素。
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