发布时间：2023-03-23 15:13:21
序言：写作是分享个人见解和探索未知领域的桥梁，我们为您精选了8篇的技术技术论文样本，期待这些样本能够为您提供丰富的参考和启发，请尽情阅读。
数据挖掘技术是近些年发展起来的一门新兴学科，它涉及到数据库和人工智能等多个领域。随着计算机技术的普及数据库产生大量数据，能够从这些大量数据中抽取出有价值信息的技术称之为数据挖掘技术。数据挖掘方法有统计学方法、关联规则挖掘、决策树方法、聚类方法等八种方法，关联规则是其中最常用的研究方法。关联规则算法是1993年由R.Atal,Inipusqi,Sqtm三人提出的Apriori算法，是指从海量数据中挖掘出有价值的能够揭示实体和数据项间某些隐藏的联系的有关知识，其中描述关联规则的两个重要概念分别是Suppor（t支持度）和Confi-dence（可信度）。只有当Support和Confidence两者都较高的关联规则才是有效的、需要进一步进行分析和应用的规则。
二、使用Weka进行关联挖掘
Weka的全名是怀卡托智能分析环境（WaikatoEnviron-mentforKnowledgeAnalysis），是一款免费的、非商业化的、基于JAVA环境下开源的机器学习以及数据挖掘软件[2]。它包含了许多数据挖掘的算法，是目前最完备的数据挖掘软件之一。Weka软件提供了Explorer、Experimenter、Knowledge-Flow、SimpleCLI四种模块[2]。其中Explorer是用来探索数据环境的，Experimenter是对各种实验计划进行数据测试，KnowledgeFlow和Explorer类似，但该模块通过其特殊的接口可以让使用者通过拖动的形式去创建实验方案，Simple-CLI为简单的命令行界面。以下数据挖掘任务主要用Ex-plorer模块来进行。
（一）数据预处理
数据挖掘所需要的所有数据可以由系统排序模块生成并进行下载。这里我们下载近两年的教师科研信息。为了使论文总分、学术著作总分、科研获奖总分、科研立项总分、科研总得分更有利于数据挖掘计算，在这里我们将以上得分分别确定分类属性值。
（二）数据载入
点击Explorer进入后有四种载入数据的方式，这里采用第一种Openfile形式。由于Weka所支持的标准数据格式为ARFF，我们将处理好的xls格式另存为csv，在weka中找到这个文件并重新保存为arff文件格式来实现数据的载入。由于所载入的数据噪声比较多，这里应根据数据挖掘任务对数据表中与本次数据任务不相关的属性进行移除，只将学历、职称、论文等级、学术著作等级、科研获奖等级、科研立项等级、科研总分等级留下。
（三）关联挖掘与结果分析
WeakExplorer界面中提供了数据挖掘多种算法，在这里我们选择“Associate”标签下的Apriori算法。之后将“lowerBoundMinSupprot”（最小支持度）参数值设为0.1，将“upperBoundMinSupprot”（最大支持度）参数值设为1，在“metiricType”的参数值选项中选择lift选项，将“minMetric”参数值设为1.1，将“numRules”（数据集数）参数值设为10，其它选项保存默认值，这样就可以挖掘出支持度在10%到100%之间并且lift值超过1.1且排名前10名的关联规则。其挖掘参数信息和关联挖掘的部分结果。
三、挖掘结果与应用
以上是针对教师基本情况和科研各项总分进行的反复的数据挖掘工作，从挖掘结果中找到最佳模式进行汇总。以下列出了几项作为参考的关联数据挖掘结果。
1、科研立项得分与论文、科研总得分关联度高，即科研立项为A级的论文也一定是A。这与实际也是相符的，因为科研立项得A的教师应该是主持了省级或是国家级的立项的同时也参与了其他教师的科研立项，在课题研究的过程中一定会有国家级论文或者省级论文进行发表来支撑立项，所以这类教师的论文得分也会很高。针对这样的结果，在今后的科研工作中，科研处要鼓励和帮助教师搞科研，为教师的科研工作提供精神上的支持和物质上的帮助，这样在很大程度上能够带动整个学校科研工作的进展。
2、副教授类的教师科研立项得分很高，而讲师类教师和助教类教师的科研立项得分很低，这样符合实际情况。因为副教授类的教师有一定的教学经验，并且很多副教授类的教师还想晋职称，所以大多数副教授类教师都会申请一些课题。而对于讲师类和助教类的教师，由于教学经验不足很少能进行省级以上的课题研究，因此这两类教师的科研立项分数不高。针对这样的结果，在今后的科研工作中，科研处可以采用一帮一、结对子的形式来帮助年轻教师，这样可以使青年教师参与到老教师的科研课题研究工作中去，在课题研究工程中提高科研能力和教学能力。
关键词：纳米科学纳米技术纳米管纳米线纳米团簇半导体
NanoscienceandNanotechnology–theSecondRevolution
Abstract:Thefirstrevolutionofnanosciencetookplaceinthepast10years.Inthisperiod,researchersinChina,HongKongandworldwidehavedemonstratedtheabilitytofabricatelargequantitiesofnanotubes,nanowiresandnanoclustersofdifferentmaterials,usingeitherthe“build-up”or“build-down”approach.Theseeffortshaveshownthatifnanostructurescanbefabricatedinexpensively,therearemanyrewardstobereaped.Structuressmallerthan20nmexhibitnon-classicalpropertiesandtheyofferthebasisforentirelydifferentthinkinginmakingdevicesandhowdevicesfunction.Theabilitytofabricatestructureswithdimensionlessthan70nmallowthecontinuationofminiaturizationofdevicesinthesemiconductorindustry.Thesecondnanoscienceandnantechnologyrevolutionwilllikelytakeplaceinthenext10years.Inthisnewperiod,scientistsandengineerswillneedtoshowthatthepotentialandpromiseofnanostructurescanberealized.Therealizationisthefabricationofpracticaldeviceswithgoodcontrolinsize,composition,orderandpuritysothatsuchdeviceswilldeliverthepromisedfunctions.Weshalldiscusssomedifficultiesandchallengesfacedinthisnewperiod.Anumberofalternativeapproacheswillbediscussed.Weshallalsodiscusssomeoftherewardsifthesedifficultiescanbeovercome.
Keywords:Nanoscience,Nanotechnology,Nanotubes,Nanowires,Nanoclusters,“build-up”,“build-down”,Semiconductor
I.引言
纳米科学和技术所涉及的是具有尺寸在1-100纳米范围的结构的制备和表征。在这个领域的研究举世瞩目。例如，美国政府2001财政年度在纳米尺度科学上的投入要比2000财政年增长83%，达到5亿美金。有两个主要的理由导致人们对纳米尺度结构和器件的兴趣的增加。第一个理由是，纳米结构（尺度小于20纳米）足够小以至于量子力学效应占主导地位，这导致非经典的行为，譬如，量子限制效应和分立化的能态、库仑阻塞以及单电子邃穿等。这些现象除引起人们对基础物理的兴趣外，亦给我们带来全新的器件制备和功能实现的想法和观念，例如，单电子输运器件和量子点激光器等。第二个理由是，在半导体工业有器件持续微型化的趋势。根据“国际半导体技术路向（2001）“杂志，2005年前动态随机存取存储器（DRAM）和微处理器（MPU）的特征尺寸预期降到80纳米，而MPU中器件的栅长更是预期降到45纳米。然而，到2003年在MPU制造中一些不知其解的问题预期就会出现。到2005年类似的问题将预期出现在DRAM的制造过程中。半导体器件特征尺寸的深度缩小不仅要求新型光刻技术保证能使尺度刻的更小，而且要求全新的器件设计和制造方案，因为当MOS器件的尺寸缩小到一定程度时基础物理极限就会达到。随着传统器件尺寸的进一步缩小，量子效应比如载流子邃穿会造成器件漏电流的增加，这是我们不想要的但却是不可避免的。因此，解决方案将会是制造基于量子效应操作机制的新型器件，以便小物理尺寸对器件功能是有益且必要的而不是有害的。如果我们能够制造纳米尺度的器件，我们肯定会获益良多。譬如，在电子学上，单电子输运器件如单电子晶体管、旋转栅门管以及电子泵给我们带来诸多的微尺度好处，他们仅仅通过数个而非以往的成千上万的电子来运作，这导致超低的能量消耗，在功率耗散上也显著减弱，以及带来快得多的开关速度。在光电子学上，量子点激光器展现出低阈值电流密度、弱阈值电流温度依赖以及大的微分增益等优点，其中大微分增益可以产生大的调制带宽。在传感器件应用上，纳米传感器和纳米探测器能够测量极其微量的化学和生物分子，而且开启了细胞内探测的可能性，这将导致生物医学上迷你型的侵入诊断技术出现。纳米尺度量子点的其他器件应用，比如，铁磁量子点磁记忆器件、量子点自旋过滤器及自旋记忆器等，也已经被提出，可以肯定这些应用会给我们带来许多潜在的好处。总而言之，无论是从基础研究（探索基于非经典效应的新物理现象）的观念出发，还是从应用（受因结构减少空间维度而带来的优点以及因应半导体器件特征尺寸持续减小而需要这两个方面的因素驱使）的角度来看，纳米结构都是令人极其感兴趣的。
II.纳米结构的制备———首次浪潮
有两种制备纳米结构的基本方法：build-up和build-down。所谓build-up方法就是将已预制好的纳米部件（纳米团簇、纳米线以及纳米管）组装起来；而build-down方法就是将纳米结构直接地淀积在衬底上。前一种方法包含有三个基本步骤：1）纳米部件的制备；2）纳米部件的整理和筛选；3）纳米部件组装成器件（这可以包括不同的步骤如固定在衬底及电接触的淀积等等）。“build-up“的优点是个体纳米部件的制备成本低以及工艺简单快捷。有多种方法如气相合成以及胶体化学合成可以用来制备纳米元件。目前，在国内、在香港以及在世界上许多的实验室里这些方法正在被用来合成不同材料的纳米线、纳米管以及纳米团簇。这些努力已经证明了这些方法的有效性。这些合成方法的主要缺点是材料纯洁度较差、材料成份难以控制以及相当大的尺寸和形状的分布。此外，这些纳米结构的合成后工艺再加工相当困难。特别是，如何整理和筛选有着窄尺寸分布的纳米元件是一个至关重要的问题，这一问题迄今仍未有解决。尽管存在如上的困难和问题，“build-up“依然是一种能合成大量纳米团簇以及纳米线、纳米管的有效且简单的方法。可是这些合成的纳米结构直到目前为止仍然难以有什么实际应用，这是因为它们缺乏实用所苛求的尺寸、组份以及材料纯度方面的要求。而且，因为同样的原因用这种方法合成的纳米结构的功能性质相当差。不过上述方法似乎适宜用来制造传感器件以及生物和化学探测器，原因是垂直于衬底生长的纳米结构适合此类的应用要求。
“Build-down”方法提供了杰出的材料纯度控制，而且它的制造机理与现代工业装置相匹配，换句话说，它是利用广泛已知的各种外延技术如分子束外延(MBE)、化学气相淀积（MOVCD）等来进行器件制造的传统方法。“Build-down”方法的缺点是较高的成本。在“build-down”方法中有几条不同的技术路径来制造纳米结构。最简单的一种，也是最早使用的一种是直接在衬底上刻蚀结构来得到量子点或者量子线。另外一种是包括用离子注入来形成纳米结构。这两种技术都要求使用开有小尺寸窗口的光刻版。第三种技术是通过自组装机制来制造量子点结构。自组装方法是在晶格失配的材料中自然生长纳米尺度的岛。在Stranski-Krastanov生长模式中，当材料生长到一定厚度后，二维的逐层生长将转换成三维的岛状生长，这时量子点就会生成。业已证明基于自组装量子点的激光器件具有比量子阱激光器更好的性能。量子点器件的饱和材料增益要比相应的量子阱器件大50倍，微分增益也要高3个量级。阈值电流密度低于100A/cm2、室温输出功率在瓦特量级（典型的量子阱基激光器的输出功率是5-50mW）的连续波量子点激光器也已经报道。无论是何种材料系统，量子点激光器件都预期具有低阈值电流密度，这预示目前还要求在大阈值电流条件下才能激射的宽带系材料如III组氮化物基激光器还有很大的显著改善其性能的空间。目前这类器件的性能已经接近或达到商业化器件所要求的指标，预期量子点基的此类材料激光器将很快在市场上出现。量子点基光电子器件的进一步改善主要取决于量子点几何结构的优化。虽然在生长条件上如衬底温度、生长元素的分气压等的变化能够在一定程度上控制点的尺寸和密度，自组装量子点还是典型底表现出在大小、密度及位置上的随机变化，其中仅仅是密度可以粗糙地控制。自组装量子点在尺寸上的涨落导致它们的光发射的非均匀展宽，因此减弱了使用零维体系制作器件所期望的优点。由于量子点尺寸的统计涨落和位置的随机变化，一层含有自组装量子点材料的光致发光谱典型地很宽。在竖直叠立的多层量子点结构中这种谱展宽效应可以被减弱。如果隔离层足够薄，竖直叠立的多层量子点可典型地展现出竖直对准排列，这可以有效地改善量子点的均匀性。然而，当隔离层薄的时候，在一列量子点中存在载流子的耦合，这将失去因使用零维系统而带来的优点。怎样优化量子点的尺寸和隔离层的厚度以便既能获得好均匀性的量子点又同时保持载流子能够限制在量子点的个体中对于获得器件的良好性能是至关重要的。
很清楚纳米科学的首次浪潮发生在过去的十年中。在这段时期，研究者已经证明了纳米结构的许多崭新的性质。学者们更进一步征明可以用“build-down”或者“build-up”方法来进行纳米结构制造。这些成果向我们展示，如果纳米结构能够大量且廉价地被制造出来，我们必将收获更多的成果。
在未来的十年中，纳米科学和技术的第二次浪潮很可能发生。在这个新的时期，科学家和工程师需要征明纳米结构的潜能以及期望功能能够得到兑现。只有获得在尺寸、成份、位序以及材料纯度上良好可控能力并成功地制造出实用器件才能实现人们对纳米器件所期望的功能。因此，纳米科学的下次浪潮的关键点是纳米结构的人为可控性。
III.纳米结构尺寸、成份、位序以及密度的控制——第二次浪潮
为了充分发挥量子点的优势之处，我们必须能够控制量子点的位置、大小、成份已及密度。其中一个可行的方法是将量子点生长在已经预刻有图形的衬底上。由于量子点的横向尺寸要处在10-20纳米范围（或者更小才能避免高激发态子能级效应，如对于GaN材料量子点的横向尺寸要小于8纳米）才能实现室温工作的光电子器件，在衬底上刻蚀如此小的图形是一项挑战性的技术难题。对于单电子晶体管来说，如果它们能在室温下工作，则要求量子点的直径要小至1-5纳米的范围。这些微小尺度要求已超过了传统光刻所能达到的精度极限。有几项技术可望用于如此的衬底图形制作。
—电子束光刻通常可以用来制作特征尺度小至50纳米的图形。如果特殊薄膜能够用作衬底来最小化电子散射问题，那特征尺寸小至2纳米的图形可以制作出来。在电子束光刻中的电子散射因为所谓近邻干扰效应（proximityeffect）而严重影响了光刻的极限精度，这个效应造成制备空间上紧邻的纳米结构的困难。这项技术的主要缺点是相当费时。例如，刻写一张4英寸的硅片需要时间1小时，这不适宜于大规模工业生产。电子束投影系统如SCALPEL（scatteringwithangularlimitationprojectionelectronlithography）正在发展之中以便使这项技术较适于用于规模生产。目前，耗时和近邻干扰效应这两个问题还没有得到解决。
—聚焦离子束光刻是一种机制上类似于电子束光刻的技术。但不同于电子束光刻的是这种技术并不受在光刻胶中的离子散射以及从衬底来的离子背散射影响。它能刻出特征尺寸细到6纳米的图形，但它也是一种耗时的技术，而且高能离子束可能造成衬底损伤。
—扫描微探针术可以用来划刻或者氧化衬底表面，甚至可以用来操纵单个原子和分子。最常用的方法是基于材料在探针作用下引入的高度局域化增强的氧化机制的。此项技术已经用来刻划金属（Ti和Cr）、半导体（Si和GaAs）以及绝缘材料（Si3N4和silohexanes），还用在LB膜和自聚集分子单膜上。此种方法具有可逆和简单易行等优点。引入的氧化图形依赖于实验条件如扫描速度、样片偏压以及环境湿度等。空间分辨率受限于针尖尺寸和形状（虽然氧化区域典型地小于针尖尺寸）。这项技术已用于制造有序的量子点阵列和单电子晶体管。这项技术的主要缺点是处理速度慢（典型的刻写速度为1mm/s量级）。然而，最近在原子力显微术上的技术进展—使用悬臂樑阵列已将扫描速度提高到4mm/s。此项技术的显著优点是它的杰出的分辨率和能产生任意几何形状的图形能力。但是，是否在刻写速度上的改善能使它适用于除制造光刻版和原型器件之外的其他目的还有待于观察。直到目前为止，它是一项能操控单个原子和分子的唯一技术。
—多孔膜作为淀积掩版的技术。多孔膜能用多种光刻术再加腐蚀来制备，它也可以用简单的阳极氧化方法来制备。铝膜在酸性腐蚀液中阳极氧化就可以在铝膜上产生六角密堆的空洞，空洞的尺寸可以控制在5-200nm范围。制备多孔膜的其他方法是从纳米沟道玻璃膜复制。用这项技术已制造出含有细至40nm的空洞的钨、钼、铂以及金膜。
—倍塞（diblock）共聚物图形制作术是一种基于不同聚合物的混合物能够产生可控及可重复的相分离机制的技术。目前，经过反应离子刻蚀后，在旋转涂敷的倍塞共聚物层中产生的图形已被成功地转移到Si3N4膜上，图形中空洞直径20nm，空洞之间间距40nm。在聚苯乙烯基体中的自组织形成的聚异戊二烯（polyisoprene）或聚丁二烯（polybutadiene）球（或者柱体）可以被臭氧去掉或者通过锇染色而保留下来。在第一种情况，空洞能够在氮化硅上产生；在第二种情况，岛状结构能够产生。目前利用倍塞共聚物光刻技术已制造出GaAs纳米结构，结构的侧向特征尺寸约为23nm,密度高达1011/cm2。
—与倍塞共聚物图形制作术紧密相关的一项技术是纳米球珠光刻术。此项技术的基本思路是将在旋转涂敷的球珠膜中形成的图形转移到衬底上。各种尺寸的聚合物球珠是商业化的产品。然而，要制作出含有良好有序的小尺寸球珠薄膜也是比较困难的。用球珠单层膜已能制备出特征尺寸约为球珠直径1/5的三角形图形。双层膜纳米球珠掩膜版也已被制作出。能够在金属、半导体以及绝缘体衬底上使用纳米球珠光刻术的能力已得到确认。纳米球珠光刻术（纳米球珠膜的旋转涂敷结合反应离子刻蚀）已被用来在一些半导体表面上制造空洞和柱状体纳米结构。
—将图形从母体版转移到衬底上的其他光刻技术。几种所谓“软光刻“方法，比如复制铸模法、微接触印刷法、溶剂辅助铸模法以及用硬模版浮雕法等已被探索开发。其中微接触印刷法已被证明只能用来刻制特征尺寸大于100nm的图形。复制铸模法的可能优点是ellastometric聚合物可被用来制作成一个戳子，以便可用同一个戳子通过对戳子的机械加压能够制作不同侧向尺寸的图形。在溶剂辅助铸模法和用硬模版浮雕法（或通常称之为纳米压印术）之间的主要差异是，前者中溶剂被用于软化聚合物，而后者中软化聚合物依靠的是温度变化。溶剂辅助铸模法的可能优点是不需要加热。纳米压印术已被证明可用来制作具有容量达400Gb/in2的纳米激光光盘，在6英寸硅片上刻制亚100nm分辨的图形，刻制10nmX40nm面积的长方形，以及在4英寸硅片上进行图形刻制。除传统的平面纳米压印光刻法之外，滚轴型纳米压印光刻法也已被提出。在此类技术中温度被发现是一个关键因素。此外，应该选用具有较低的玻璃化转变温度的聚合物。为了取得高产，下列因素要解决：
1）大的戳子尺寸
2）高图形密度戳子
3）低穿刺（lowsticking）
4）压印温度和压力的优化
5）长戳子寿命。
具有低穿刺率的大尺寸戳子已经被制作出来。已有少量研究工作在试图优化压印温度和压力，但显然需要进行更多的研究工作才能得到温度和压力的优化参数。高图形密度戳子的制作依然在发展之中。还没有足够量的工作来研究戳子的寿命问题。曾有研究报告报道，覆盖有超薄的特氟隆类薄膜的模板可以用来进行50次的浮刻而不需要中间清洗。报告指出最大的性能退化来自于嵌在戳子和聚合物之间的灰尘颗粒。如果戳子是从ellastometric母版制作出来的，抗穿刺层可能需要使用，而且进行大约5次压印后需要更换。值得关心的其他可能问题包括镶嵌的灰尘颗引起的戳子损伤或聚合物中图形损伤，以及连续压印之间戳子的清洗需要等。尽管进一步的优化和改良是必需的，但此项技术似乎有希望获得高生产率。压印过程包括对准、加热及冷却循环等，整个过程所需时间大约20分钟。使用具有较低玻璃化转换温度的聚合物可以缩短加热和冷却循环所需时间，因此可以缩短整个压印过程时间。IV．纳米制造所面对的困难和挑战
上述每一种用于在衬底上图形刻制的技术都有其优点和缺点。目前，似乎没有哪个单一种技术可以用来高产量地刻制纳米尺度且任意形状的图形。我们可以将图形刻制的全过程分成下列步骤：
1．在一块模版上刻写图形
2．在过渡性或者功能性材料上复制模版上的图形
3．转移在过渡性或者功能性材料上复制的图形。
很显然第二步是最具挑战性的一步。先前描述的各项技术，例如电子束光刻或者扫描微探针光刻技术，已经能够刻写非常细小的图形。然而，这些技术都因相当费时而不适于规模生产。纳米压印术则因可作多片并行处理而可能解决规模生产问题。此项技术似乎很有希望，但是在它能被广泛应用之前现存的严重的材料问题必须加以解决。纳米球珠和倍塞共聚物光刻术则提供了将第一步和第二步整合的解决方案。在这些技术中，图形由球珠的尺寸或者倍塞共聚物的成分来确定。然而，用这两种光刻术刻写的纳米结构的形状非常有限。当这些技术被人们看好有很大的希望用来刻写图形以便生长出有序的纳米量子点阵列时，它们却完全不适于用来刻制任意形状和复杂结构的图形。为了能够制造出高质量的纳米器件，不但必须能够可靠地将图形转移到功能材料上，还必须保证在刻蚀过程中引入最小的损伤。湿法腐蚀技术典型地不产生或者产生最小的损伤，可是湿法腐蚀并不十分适于制备需要陡峭侧墙的结构，这是因为在掩模版下一定程度的钻蚀是不可避免的，而这个钻蚀决定性地影响微小结构的刻制。另一方面，用干法刻蚀技术，譬如，反应离子刻蚀(RIE)或者电子回旋共振（ECR）刻蚀，在优化条件下可以获得陡峭的侧墙。直到今天大多数刻蚀研究都集中于刻蚀速度以及刻蚀出垂直墙的能力，而关于刻蚀引入损伤的研究严重不足。已有研究表明，能在表面下100nm深处探测到刻蚀引入的损伤。当器件中的个别有源区尺寸小于100nm时，如此大的损伤是不能接受的。还有就是因为所有的纳米结构都有大的表面-体积比，必须尽可能地减少在纳米结构表面或者靠近的任何缺陷。
随着器件持续微型化的趋势的发展，普通光刻技术的精度将很快达到它的由光的衍射定律以及材料物理性质所确定的基本物理极限。通过采用深紫外光和相移版，以及修正光学近邻干扰效应等措施，特征尺寸小至80nm的图形已能用普通光刻技术制备出。然而不大可能用普通光刻技术再进一步显著缩小尺寸。采用X光和EUV的光刻技术仍在研发之中，可是发展这些技术遇到在光刻胶以及模版制备上的诸多困难。目前来看，虽然也有一些具挑战性的问题需要解决，特别是需要克服电子束散射以及相关联的近邻干扰效应问题，但投影式电子束光刻似乎是有希望的一种技术。扫描微探针技术提供了能分辨单个原子或分子的无可匹敌的精度，可是此项技术却有固有的慢速度，目前还不清楚通过给它加装阵列悬臂樑能否使它达到可以接受的刻写速度。利用转移在自组装薄膜中形成的图形的技术，例如倍塞共聚物以及纳米球珠刻写技术则提供了实现成本不是那么昂贵的大面积图形刻写的一种可能途径。然而，在这种方式下形成的图形仅局限于点状或者柱状图形。对于制造相对简单的器件而言，此类技术是足够用的，但并不能解决微电子工业所面对的问题。需要将图形从一张模版复制到聚合物膜上的各种所谓“软光刻“方法提供了一种并行刻写的技术途径。模版可以用其他慢写技术来刻制，然后在模版上的图形可以通过要么热辅助要么溶液辅助的压印法来复制。同一块模版可以用来刻写多块衬底，而且不像那些依赖化学自组装图形形成机制的方法，它可以用来刻制任意形状的图形。然而，要想获得高生产率，某些技术问题如穿刺及因灰尘导致的损伤等问题需要加以解决。对一个理想的纳米刻写技术而言，它的运行和维修成本应该低，它应具备可靠地制备尺寸小但密度高的纳米结构的能力，还应有在非平面上刻制图形的能力以及制备三维结构的功能。此外，它也应能够做高速并行操作，而且引入的缺陷密度要低。然而时至今日，仍然没有任何一项能制作亚100nm图形的单项技术能同时满足上述所有条件。现在还难说是否上述技术中的一种或者它们的某种组合会取代传统的光刻技术。究竟是现有刻写技术的组合还是一种全新的技术会成为最终的纳米刻写技术还有待于观察。
另一项挑战是，为了更新我们关于纳米结构的认识和知识，有必要改善现有的表征技术或者发展一种新技术能够用来表征单个纳米尺度物体。由于自组装量子点在尺寸上的自然涨落，可信地表征单个纳米结构的能力对于研究这些结构的物理性质是绝对至关重要的。目前表征单个纳米结构的能力非常有限。譬如，没有一种结构表征工具能够用来确定一个纳米结构的表面结构到0.1À的精度或者更佳。透射电子显微术(TEM)能够用来研究一个晶体结构的内部情况，但是它不能提供有关表面以及靠近表面的原子排列情况的信息。扫描隧道显微术（STM）和原子力显微术（AFM）能够给出表面某区域的形貌，但它们并不能提供定量结构信息好到能仔细理解表面性质所要求的精度。当近场光学方法能够给出局部区域光谱信息时，它们能给出的关于局部杂质浓度的信息则很有限。除非目前用来表征表面和体材料的技术能够扩展到能够用来研究单个纳米体的表面和内部情况，否则能够得到的有关纳米结构的所有重要结构和组份的定量信息非常有限。
V.展望
在利用激光进行的三维测量中应用最广泛的测量方法主要有三种：干涉法、飞行时间法和三角法。1.1干涉法干涉法测量是利用激光的干涉原理来完成对物体测量的一种方法，其原理是将一束相干光通过分光系统分成测量光和参考光，通过测量光波与参考光波相干叠加产生的干涉条纹变化量来获得物体表面的深度信息。干涉法的测量精度高，在100m范围内可以获得0.1mm的分辨率。1.2飞行时间法飞行时间法是通过测量脉冲光束的飞行时间来测量距离的一种测量方法，其原理是通过测量发射和接收激光脉冲信号的时间差来间接获得被测目标的距离。飞行时间法以时间分辨率来换取距离测量精度，精度相对较低，一般在1mm左右，精度高的测量头可达亚毫米级，常用于大尺度远距离测量。1.3三角法三角法是光学测量中最常见的一种测量方法。它是将待测点的深度坐标，通过不同的检测元件，利用几何三角关系转换为相对于光学基准的偏移量进而计算出该点深度值。根据具体照明方式的不同，光学三角法可分为两大类：被动三角法和主动三角法。激光三角法测量是基于激光的主动三角法，是近年来研究较多、发展比较成熟的一种测距方法。其测量原理是：由光源发出的光照射到被测物体表面上，反射后在检测器（如：CCD）上成像，物体表面的位置改变，检测器上成的像也随之改变，由几何三角关系即可通过对像移的检测和计算出实际高度。激光三角法测量的精度取决于感光设备的敏感程度、与被测表面的距离、被测物表面的光学特性等，适合于近距测量，精度一般在丝米级。
2测量方法的选择
船板的形状尺寸测量是一个典型的外表面三维曲面测量。由于船板是一个连续而光滑的曲面，因此，可以将整个曲面离散成m×n个点，通过测量得到这些点的坐标值后，即可通过软件拟合出整个曲面。由于传统的接触式测量，存在探头易磨损，需要人工干预，价格昂贵，对使用环境有一定要求，测量速度慢，效率低等问题，因此，虽然其有较高的测量精度，但确并不适合应用在船板多点成形在线测量中。对比三种常用的激光测量方法，测量精度均能满足船板的测量要求。本着实用而不浪费的原则，由于干涉法测量所需的测量设备成本较另外两种方法高出很多，并且使用时需反射镜，现场在线使用不方便，速度慢效率低，因此，采用飞行时间法或三角法的激光测量传感器比较适合船板三维测量，其设备价格较低，对测量表面的要求不高，并且可直接测量，使用灵活方便。
3扫描装置
扫描装置是激光测量头的安装平台，其作用是带动激光测量头沿X轴和Y轴运动，完成对整个测量表面的扫描，并在测量的同时给出测量点的X方向和Y方向的坐标值。为了提高测量效率，最终确定扫描装置采用多点方式，这样可以大大提高船板多点成形的生产效率。由于多点测量方式使用的激光测量头数量较多，因此，在满足测量精度要求的前提下，选择了价格相对较低的飞行时间法激光测量头。扫描系统由电动滑台、联轴器、接轴、减速机、伺服电机、测量架、测头等部分组成(见图1)。电动滑台和减速机通过架子固定在上模座上，伺服电机与减速机相连，并通过接轴与电动滑台连接，测量架固定在电动滑台上。测量时，在伺服电机驱动下，电动滑台带动测量架沿X方向移动，每走一个步长测头测量当前X坐标下各点的Z坐标值，直到测量完整个板材表面点阵(见图2)。
4结束语
在方法层面，传统研究汉代灯具主要侧重考古、考证以及设计技术与文化等领域研究，在方法论上较少涉及灯具的装饰与仿生科学考察，尤其是对汉代灯具的研究。近代对中国古代灯具的研究达到了相当高的水平，特别近几年很多以研究古代灯具作为硕、博士学位论文为选题。研究者分别从考古学、文化学、艺术学等学科进行单学科或多学科交叉。从现有关于汉代铜灯的研究成果中可以看到，不同专业的研究者都会不约而同的提到汉代灯具的装饰，但几乎没有研究者专以汉代灯具装饰艺术作仿生学意义上的科学系统性研究。但是，随着汉代灯具的不断出土，以及现代设计科学的进步，汉代灯具研究的未来研究趋势显示：从传统的考古研究转向设计研究；从传统的文化装饰研究转向科学装饰研究。
二、研究空间及价值
“装饰与仿生”是汉代灯具设计研究的一个可开掘空间。通过研究汉代灯具装饰制作工艺及其仿生科学，调查与梳理相关资料，发现与整理汉代灯具工艺技术，通过科技考古与艺术复原实验的现代技术手段，还原汉代灯具的装饰工艺技术，揭示汉代灯具仿生科技发展水平及其技术文化内涵，从而填补汉代灯具制作工艺研究之不足，向世人展示中国汉代灯具装饰技术与科学文化水平，力求在技术层、装饰层与文化层等维度上弘扬中国优秀工艺文化。在装饰层面，研究汉代灯具制作装饰的艺术手段，复原汉代灯具装饰艺术风格，包括工艺、造型、纹饰、绘画、色彩等。汉代灯具装饰技术文化，主要揭示其技术历史之嬗变与演进；汉代灯具制作装饰材料文化，揭示其物质文明；汉代灯具装饰文化，主要揭示其图案、纹饰、色彩背后的时代与历史文化如何渗透到装饰制作之中。在仿生层面，通过灯具的仿生造型分析汉代人的审美的需求，以及汉代大简的造物形态和“守约以治广”“规天矩地”“自然相生”等美学思想的命题；深究仿生造型的潜在含义，佐证汉代神学思想、视死如生的丧葬观以及封建初期等级的划分；对仿生灯具的实证分析，探讨汉代环保、节能、调光等先进的科学性。对汉代灯具的研究，再现汉代灯具的可视化物质形式、工艺流程与技术发展为微观特色，其优势在于再现与复原汉代灯具工艺技术的同时，还侧重开掘汉代灯具工艺的载体、材料、工具与技术等内容，为我国灯具技术文化史的建构发展助推，为我国工艺技术文化提升软实力；通过对汉代灯具艺术发的复原，以再现、实验、传承、利用汉代灯具仿生技术遗产为宏观特色，其优势在于运用现代技术、科学实验传承与再现汉代灯具制作工艺，绘制汉代灯具工艺技术图谱。
三、结语
1育苗
育苗温室棚及育苗材料的选择：育苗棚座北朝南，东西走向，有水源，棚内实用面积在1.2亩左右，棚膜应选择聚乙烯无滴膜，保温材料最好选择棉被，大棚中间建一标有刻度的水池，起蓄水、补肥、增加水温的作用。
2温室扣棚及棚内消毒
扣棚及棚内消毒。扣棚：11月中旬及时扣棚，提高棚温，以利于棚内保暖。选用扣三道膜方式；在播种前一周进行棚内消毒。方法：一是每个标准棚用45%的百菌清烟雾剂200～300g，均匀放置，分别点燃，密闭烟熏。二是硫磺烟熏法，选晴天进行，每m3空间用硫磺4g，锯末8g，于晚上7时每2m一个点堆放锯末，摊平后上层撒一层硫磺粉，倒入少量酒精，逐个点燃，24h后放风排烟。
3温室苗床的准备
苗床要整成中间略高3～5cm、两边略低的斜面，两侧开小沟，以便苗期喷水的时候苗床不积水。
4育苗材料的选择
育苗秧盘：秧盘选用长540mm，宽280mm，高48mm的128穴黑色盘。基质和蛭石：选用养分全面、丰富、肥效期较长的基质。蛭石要求颗粒均匀、中等大小（直径在3～5mm），基质和蛭石的比例为3：1。5装盘、点种、摞盘、淋盘2月下旬初将按比例混合好的营养土装入盘中，用平板刮平后，每20个一摞摆好，由于重力的作用，每穴均有等深的孔；在装盘之前先把基质拌湿（60～70%水份，即手捏面团，碰之即散），放置一天后装盘点种，然后轻淋水，催芽。
6种子及播量
种子要选择优良品种，一个棚应做到只育一个品种，以便管理；纯度大于98%，净度大于99%，发芽率大于85%，播量每穴2～3粒；点好后上面用营养土覆盖，刮平，将四周清理干净淋水。摞盘时每两盘并排为一垛，垛高为20～30个盘，摞盘时要注意穴盘的孔要错开，以免影响出芽，盘的下面要用砖块和木板腾空20cm左右，以免下层秧盘由于温度低、空气不流通、氧气不足而出芽不整齐，摞好后用薄膜整体覆盖，增温、保湿，覆盖时，最上层用苇杆把膜与营养土隔开，以免出芽时顶到膜而烧芽。
7番茄育苗方法有三种
一是苗床育苗，出苗后再假植到秧盘.适用于抗灾苗的准备。苗床育苗技术难度较小，但假植到秧盘时用工较多，增加育苗成本，秧苗假植后有一个缓苗期，人为伤口也较多，为病菌侵入提供了机会。二是用催芽室集中催芽，出苗后直接摆盘。出苗期短易出全苗，但缓苗时间短，人工接触少，病害也少，但催芽室育苗技术难度大。我团生产以催芽室育苗为主，在棚中间用大棚膜或化纤布隔成一个小温室，约相当于大棚面积的1/10，摞盘催芽。三是整棚催芽。利于出壮苗，但加温消耗煤多，一个标准棚须有8个炉子。
8苗期管理
早春气温低，达不到种子发芽的温度，应用炉子加温，夜间要及时观察温度。第一天温度低一点，白天22～23℃，24h后白天增温到28～30℃，晚上温度不低于15℃。加温第三天及时倒盘，同时检查种子发芽情况，当种子露白后适当降温到20～25℃，见芽后摆盘。出苗前7天是育好壮苗的关键时期。育苗要点：热（温度）、水、光照。温度：摆盘后夜温最低不低于8℃，白天20～25℃，如遇寒潮，则应整棚加温，待芽整齐后，应把握“低温育苗”的原则进行调控。正常天气条件下，下午5点放棉被保温，早上9～10点拉开升温，育苗期由于春风较多，应做好防风的准备。水分：摆盘后要及时喷水，喷水要注意喷透，切忌表湿里干。喷水前应把水抽到蓄水池中在棚内升温，以免井水温度太低，喷水后造成营养土温度急速下降，影响根系的生长。幼苗出土后的管理：随着外界气温升高必须增大棚面上部放风口的宽度并设置底部放风口进行温度调节。底部放风口的进风位置要高于苗盘80～100cm。具体方法：一种是在覆盖大棚膜时预留。另一种是在大棚内距膜30～40cm处垂直设一风障高度80～100cm。苗盘湿度的控制主要靠勤观察，一般中午幼苗出现萎焉或苗盘表层5mm以下表现干燥时就要及时洒水。尽量避免控水过度干旱死苗和水分过多造成幼苗徒长诱发病害。洒水时间要避开高温时段，每次洒水要做到足量，均匀。光照：由于早春日照时间短，为促使秧苗叶片尽早进行光合作用，在温度容许的条件下，应尽量延长大棚见光时间，培育壮苗。促、控结合：番茄的壮苗标准：苗龄45天，株高12cm左右，茎杆粗壮，幼茎紫红，长势均匀，4～5片真叶，叶色深绿，根系发达呈白色无病害。为了培育适龄壮苗，必须做到促、控结合，2～3叶期可用奇丽施、氨基酸、福施壮进行叶面喷施。3～4叶期可用0.2%的尿素加福施壮1000～1500倍进行喷施。对一些僵苗，可用0.2%尿素+0.1%硫酸锌+30ppm的天然芸苔素进行促苗。出棚前做到带药、带肥移栽，喷施福施壮1000～1500倍和普力克800～1000倍。
9炼苗
1.1土壤环境的选择高山杜鹃在自然界所处的高山冷凉环境造就了它赖以生存的富含腐殖质、渗透性好土壤环境。因此，在选择种植的土壤环境时，也要刻意选择腐殖质丰富、透气性好的沙壤土或者沙性土壤。如果土壤粘性太大，则不适合种植高山杜鹃。但是稍带粘性的土壤，可通过向土壤里掺杂河沙或者珍珠岩来改善土壤孔隙。当然，如果是盆花生产，则有专业的高山杜鹃或者凤梨生产用的基质土可以用来进行生产。在选择基质土时，选择纤维较粗长的为宜。一般大盆花生产用的基质土，平均粒径不宜小于20mm。另外，高山杜鹃喜欢酸性土壤，最合适的pH值为4.5－5.5，如果土壤pH过高，可利用经过粉碎的煤矸石或者硫磺矿进行改良。
1.2对地形的选择好的地形在一定程度上可以改善气候带来的制约。在平地上，想找到大片适合高山杜鹃渗水性要求的土地，是很困难的。但是如果生产地形是一定角度的缓坡，雨水在流经植物根系的时候不会长时间聚集，这样杜鹃就不会因为根系呼吸不畅而导致根系长势不好或者发生真菌病害。
2田间管理
2.1移栽上盆和换盆高山杜鹃根系喜欢透水性好，利于呼吸的土壤环境，因此如果是家庭养护，建议用陶盆或者瓦盆这一类渗水性和透气性较好的盆。如果是大批量生产，陶盆不宜运输，且容易损坏，因此建议盆底有足够多透水孔的塑料盆。高山杜鹃都是浅根系的植物，没有主根，根系分布一般只存在于地表50cm以上。因此选用盆的时候，一定不要选用过深的盆。一般选用的盆以高度不大于盆径为宜。否则不但浪费花土，而且盆底层因为没有根系活动，容易积水并导致细菌滋生，导致病害。换盆前，先用3000－5000倍的高锰酸钾对花盆浸泡5min进行消毒。换盆时将老盆轻轻的退去，然后先在新盆底部垫厚度约3cm的花土，将花放在新盆正中，然后向盆与花的空隙填入花土，并轻轻按压，不可用劲将盆土按的太紧实，避免新根生长困难和呼吸不畅。填入的花土的高度以超过原根系顶层1cm为宜，不可将根系埋的过深。换土完毕后将盆花放置在阴凉的环境，并浇透水。一周以后就会有新根长出。
2.2浇水杜鹃浇水以雨水、河水、湖水、池塘中的水、养鱼水为最好。禁用碱水、井水和自来水。实在要用，把井水温度处理和空气温度相似，自来水要脱氯气，放数日挥发掉再用。碱水加硫酸调整pH。浇水量要根据不同生长阶段有不同，休眠期要少，隆德4－6月杜鹃开花，生长旺盛要多浇，晴天一天浇一次水，个别傍晚还要补水。雨季注意排水，7－8月每时都得检查，盆干就得浇水，同时叶片喷水，冬季上午浇水，夏季早晨浇水，春秋除中午外，其他时间均可浇。在室内加温的温室，2－3d浇一次，不加温的4－5d浇一次，3月下旬，温度升高，花芽开始膨大，叶芽也萌动了，水量适当增加。
2.3施肥施肥有基肥、长效的蹄、甲片、骨粉、饼肥、粪干等，在上盆或换盆时和土壤混合使用。追施肥用人粪尿和化肥、速效性肥料。杜鹃不同生长阶段要施不同的肥。开花前多施磷肥，促使开花，花开的大，花瓣厚，色泽好，花期长，10d施一次，施2－3次。开花期停止施肥。开花后，为了恢复树势，促使抽梢长叶，施氮肥，高温季节(7－8月)停止生长，不宜施肥。秋季进室内前是孕蕾期，多施磷肥，7－10d一次，冬季休眠期停止施肥。施肥应掌握的原则:肥料要充分腐熟，勤施薄肥，禁止把肥施在叶上，晴天施，盆土干时施，傍晚施，次日早浇水。
2.4修剪为了保持杜鹃花树形的美观，每年要修剪过多徒长枝和弱枝。一般在杜鹃小苗生长到7－8cm高的时候，就要去除顶端，促使其萌发更多的侧枝。一般经过这一次修剪以后，大部分幼苗能长出3个以上的分枝。然后下一年春天在顶芽伸长之前，去除每个枝条顶端的芽，促使其萌发更多的侧枝，这样到第三年的时候，杜鹃就可以长成有六七个以上的侧枝、株型丰满的盆花了。在这以后，大部分杜鹃不再修剪，但是为了杜鹃长势更加茁壮，株型更加好看，建议每年开花以后，要去除那些在底层因为见不着光而长势较弱、下垂严重的枝条，避免营养浪费。
2.5打残花高山杜鹃每年花期过后会有残花留在枝头顶端，如果条件合适或者经过了昆虫授粉，那么这些残花就会逐渐发育为种子。如果不需要做杂交或者留种，那么建议把残花打掉。因为每年四五月花期过后，枝头就开始有新枝长出。但是如果有密集的种子长出，就会消耗很多营养，导致新枝生长不良甚至长不出来。因此，打残花是一件比较重要的工作。
3繁殖方法
一般有:种子繁殖、扦插和嫁接繁殖。由于这3种方法繁育的种苗变异性大、成活率低，我们不常用，所以不详细介绍，隆德通常采用的是组培苗。
4常见病虫害防治
杜鹃常见的病害有茎腐病、叶肿病、叶斑病和褐斑病，象甲虫。
4.1叶肿病症状:发病叶片正面初为淡黄色半透明的圆形斑，后为黄色，下陷;叶背面淡红色，肥厚肿大，随后隆起呈瘿瘤，瘿瘤表面有厚厚灰白色的粉层，如饼干状，叶枯黄早落。严重时叶柄病斑连片，畸形肥厚。嫩梢发病时，顶端产生肉质莲状叶，或为瘤状叶，后干缩为囊状。花瓣感病后，异常肥厚，呈不规则的瘿瘤。花芽受害成为肉质变厚变硬。发病规律:病害一年发生两次，春末夏初和秋末冬初，以春末夏初最常见，3－5月较严重。温度较低，月平均气温在15－20℃，相对湿度为80%以上，阴雨连绵，阳光不足，植株生长柔嫩，病害容易流行。防治方法:在发病前尤其是在抽梢展叶时可喷洒1∶1∶200的波尔多液，发现病叶及时摘除;发芽前可喷施0.3－0.5波美度石硫合剂或1∶1∶200的波尔多液2－3次，通常隔7－10d喷1次;发病后可喷洒65%－80%代森锰锌500倍液或0.3－0.5波美度石硫合剂3－4次，隔7－10d喷1次。
4.2叶斑病症状:发病叶片上会出现椭圆型、长条形浅红褐色或黑色病斑，周围有褪绿圈，后扩大呈不规则大斑块，病斑上产生黑点。一般在杜鹃的下层光照不足的老叶片上容易发生，但是严重时新叶也会发生，并出现干枯和掉落现象。发病规律:叶斑病菌在病残体或随之到地表层越冬，翌年发病期随风、雨传播侵染寄主。杜鹃叶斑病夏季高温容易发病，但在温室中四季都可发生。连作、过度密植、通风不良、湿度过大均有利于发病。防治措施:于5－8月喷施70%甲基托布津1000倍液、20%粉锈宁4000倍液、50%代森锰锌500倍液，隔10d喷1次，共喷7－8次，能有效地控制病害的发展。为防止叶片黄化，还可增施硫酸亚铁。
关键词：滑坡抗滑桩开挖锁口
一、工程概况
某车站站中心里程为K394+047.6，站场呈西南走向，位于1#、2#滑坡体中部，既有线与滑坡主轴（滑动方向）交角82°。滑坡近似呈扇形，坡面凹凸不平，草本植物发育，长轴基本垂直穿越既有线，滑坡体物质有粉质黏土，角砾土、碎石土、块石土，厚度分别为0～12m、0～16m、06～28m、0～12m。1#滑坡位于车站进站端，于既有线线路右侧设抗滑桩47根，2#滑坡于车站出站端，设一排埋式抗滑桩，共计13根桩，桩间距均为6米。
二、施工方案
2.1总体布置
2.1.1施工场地受既有车站场地限制，施工部署尽可能不进入车辆限界，办公、生活设施租住民房，施工场地部署在既有某2#隧道进口左侧居民区
2.1.2水、电布置水：本工区靠山侧有山间溪流，水质清澈，且无腐蚀性。施工用水在溪流下方，设置拦水坝，用水管引流至施工工区。电：从业主设置的临时电网接进，在山体抗滑桩不设中部设置变压器一台，供现场用电需要。
2.1.3施工便道布设本工点紧邻既有线，施工便道根据现场施工场地情况，分1#、2#两处布设。1#滑坡体施工便道利用1#隧道便道在某河桥头沿既有线挡墙延伸，紧靠山侧修建便道。2#滑坡体施工便道在省道310靠近道班处开口，在既有线某桥下穿过，在某中学道路河谷转弯处修建可直达2#滑坡体的便道。
2.1.4混凝土拌合场混凝土拌合站布设在2#隧道进口，混凝土拌合场设在隧道进口右侧，设JS500搅拌机2台。混凝土拌合场设砂石料场、水泥库、外加剂库等。采用2辆JC6A型混凝土搅拌运输车运输混凝土至抗滑桩施工区。
2.1.5弃碴场1#、2#滑坡体抗滑桩的弃碴弃于弃碴场内，该弃碴场位于某河沟上游侧距离既有线某河沟大桥270m处的“V”形谷向上游，该处弃碴场占地25亩，可弃碴约22万方。可满足设计弃碴用。
2.2施工方法与技术
2.2.1工艺流程地表截排水施工测量放线定桩位桩井口开挖锁口施工桩身开挖设置必要的支挡防护桩中护壁施工开挖中地下水处理开挖至设计深度桩身钢筋骨架安装无损检测管安装分层浇筑C30混凝土桩顶空桩回填及桩身露空部分修整桩间重力式挡土墙施工桩身保护。
2.2.2施工准备施工测量，根据设计资料测量定出桩位，平整场地。开挖前，桩基周围的一切不安全。因素必须清除，平整场地要因地制宜，要在桩孔四周做好临时防护措施及警示标志。开凿作业面，清除地表杂物和覆盖土层。为防止雨水侵入桩孔，应在孔口上搭设防雨棚，防雨棚的高度大约2m左右，以利于排水，并注意出土道路的走向，弃土地点应离孔边至少5m以外，出土达到一定数量或影响施工作业时，应组织人力机械进行及时清运。根据需要和可能，采用人力绞车或电动葫芦提升设备，安装提升设备时，首先要考虑到作业情况，即对施工作业是否方便灵活，机具是否拆装容易，还应注意到吊斗容量与起重能力的适应，起重安全系数应大于3。挂钩要求牢固，摘挂容易又有保护措施，人员上下应系安全绳。
2.2.3放线定桩位及高程在场地三通一平的基础上，依据建筑物测量控制网的资料和基础平面布置图，测定桩位轴线方格控制网和高程基准点。确定好桩位中心，以中心为中心，以桩身长宽加护壁后，撒石灰线作为桩孔开挖尺寸线，桩位线订好之后，必须经有关部门进行复查，办好预检手续后开挖。布孔：根据设计要求放出开挖轮廓线和各炮孔孔位，并予以编号，插木牌逐孔写明孔深、孔径、倾斜角方向及大小。
2.2.4桩井口开挖及锁口施工①桩口单侧防护网在桩口靠近既有线侧设竖立刚性杆件，焊接成型钢筋网挂设，桩口两侧则挂设柔性防护网，以防桩破引起的飞石毁坏既有线设施。②炮位覆盖措施炮孔覆盖：购置废旧车胎编制柔性炮被覆盖于炮位上。这种覆盖材料有较高的强度、弹性和韧性，不易折断，并有一定的重量，不易被爆炸气浪抛起，而且这种材料可反复使用、易修补、经济实惠。要求胶皮炮被厚度不得小于1厘米，编织要严实，四面用钢丝扎紧加固。土袋覆盖加压：在柔性炮被上方加压土袋，并对有可能出现危险滚石的地段加设钢丝绳网或布鲁克网防护，钢丝绳网或布鲁克网四周设锚杆拉紧。以防止滚石危及既有线行车安全。土袋均采用工地废弃水泥编织袋装土，严禁装石子，以免飞石伤人。炮孔阻塞：炮孔阻塞长度应大于或等于最小抵抗线，阻塞材料采用沙土堵塞。混凝土护壁锁口:挖孔时弱风化岩层以上必须采用混凝土护壁，孔口必须采用钢筋混凝土锁口。锁口及护壁混凝土采用C20混凝土。
2.2.5桩身开挖及临时支挡开挖时采用隔桩开挖，对于松散土层采用人工开挖，较硬土层则采用风镐开挖，石质地质则采用小药卷爆破的方法进行。钻爆施工必须爆破时，应专门设计，宜采用浅眼松动爆破和控制爆破相结合的方法，严格控制装药量并在炮眼附近加强支护。其措施为：多炮眼，少炸药，微差雷管爆破，以减少冲击波，震动和噪声。采用松动爆破时，计算爆破指数均取0.75。
2.2.6开挖后地下水处理挖孔后如有地下水渗出，应加强桩身稳定支挡，及时进行孔壁支护，防止水在与孔壁浸泡流淌造成坍孔，如遇到涌水量较大的潜水层承压小时，应使用潜水泵进行抽排，必要采用水泥砂浆灌卵石环圈或加厚护壁的方法进行。
2.2.7钢筋笼布设及安装①钢筋笼加工（靠山侧钢筋3根一束）纵向受力钢筋的接头采用焊接接头，在接头处的35倍钢筋直径范围内（接头错头距离≥35d），在有接头的截面，接头数量≤50%，一般取50%。钢筋加工前进行必要的除锈、调直。②钢筋笼安装及无破损检测管安装受地形限制，本工区钢筋笼先在钢筋加工棚内进行除锈、调直等工作。钢筋笼在桩孔内进行安设。在保证电力线路绝缘良好的情况下桩孔内进行焊接。钢筋笼安装完成后，每根桩四角应预埋无损检测塑料管以利检测，桩位回填前，对全部抗滑桩进行声测。检测合格后，方可进行挡墙施工。
2.2.8桩身混凝土浇筑桩孔开挖到设计桩底高程后，要进行终孔检查，各项技术指标符合设计后，进行钢筋笼下放及安设，安设到位后进行桩孔混凝土的灌注。混凝土灌注尽量在白天进行，严格控制混凝土的拌合质量，按试验部门提供的配比通知单拌制，严格混凝土原材的控制把关。在干燥无水或少量渗水时，可采用常规的灌注方法，采用串筒导流，避免高空直接坠落导致的混凝土离析现象，混凝土的坍落度宜控制在7cm左右。在孔内水位较高时，在封孔工程中难以实现水泵抽排，则进行水下混凝土浇筑。:
2.2.9质量标准
三、结束语
虽然该实例工程滑坡体地质条件比较复杂，但抗滑桩按上述施工方法施工治理后，现场未出现任何不良情况，并有效地克制了滑坡体变形失稳，保证了站场安全，达到了预期的效果。
参考文献：
[1]《铁路路基施工规范》.TB10202-2002.
[2]《铁路混凝土与砌体工程施工规范》.TB10210-2001.
关键词：矿井主排水泵拉紧螺栓拆装方法探讨
引言
煤矿主排水泵一般为单吸、多级、节段式卧式离心泵，由拉紧螺栓将泵壳体部分的进水段、中段、出水段联在一起。由于主排水泵承担矿井的排水任务，运转频繁，叶轮和导叶经常受到水流的冲刷，磨损和锈蚀速度很快，需要定期对水泵进行升井检修。水泵拉紧螺栓连接的紧固与否直接影响到水泵中段漏水和水泵的效率问题。所以，拉紧螺栓的连接十分紧固，拆卸和紧固十分困难。新桥煤矿在主排水泵检修过程中分别试用了拉紧螺栓的几种拆卸方法，取得了良好效果。
一、人工拆卸
1.1拆卸方法所谓人工拆卸，即将扳手直接穿入拉紧螺栓螺母上，人力扳动扳手进行拆卸。由于拉紧螺栓尺寸大、预紧力大，而普通扳手开口小、承载力矩小，所以，在进行人工拆卸时，通常采用自制扳手。自制扳手可用钢板制作。由于拉紧螺栓螺母型号全部一致，扳手开口可以采用固定形式，扳手尾部设有连接孔，用于连接加力杆。
1.2人工拆卸的优点人工拆卸使用的工具简单、制作方便，拆卸过程不需要耗费电能，具有节能的特点。
1.3人工拆卸的缺点
1.3.1拆卸速度慢，费时费力人工拆卸需要不断取出扳手，且由于拉紧螺栓螺母十分紧固，需要多人参与，不仅速度慢，而且费时费力。
1.3.2主排水泵底部拉紧螺栓拆卸困难由于受空间限制，主排水泵底部的拉紧螺栓无法直接进行拆卸，拆卸时需要将水泵倾倒，非常麻烦且不安全。
二、采用起重机进行拆卸
2.1拆卸方法采用自制扳手和起重机相结合代替人力进行拆卸的方法，即为起重机拆卸法。采用起重机进行拆卸时，首先将自制扳手穿入拉紧螺栓螺母上，然后用钢丝绳绳套将扳手尾部和起重机钩头相连，启动起重机，利用起重机的拉力进行螺栓拆卸和安装。
2.2优缺点优点是速度快，缺点是仍然需要不断更换扳手，起重机频繁启动容易损坏起重机。
三、采用电动拆卸装置进行拆卸
3.1电动拆卸装置的组成电动拆卸装置由电机、摆线针轮减速机、拆卸螺母、升降机构和机架组成。电动拆卸装置利用减速机输出轴扭矩进行拉紧螺栓螺母拆卸和预紧。
3.2拆卸方法
3.2.1调节升降机构，使传动装置和待拆装拉紧螺栓在同一直线上。
3.2.2将拆卸螺母穿入拉紧螺栓螺母上。
3.2.3启动电机，带动拆卸螺母转动，从而将拉紧螺栓拆卸或预紧。
3.3优缺点优点是拆卸速度快，可以一次性拆卸或预紧一条拉紧螺栓，过程中不需更换拆卸螺母位置。缺点是在对拉紧螺栓预紧时不能自动停止，容易造成摆线针轮减速机齿轮损坏。
四、采用液压拆卸装置进行拆卸
4.1液压拆卸装置的组成液压拆卸装置由泵站、控制阀、液压缸、棘轮扳手和调节平台组成。
4.2拆卸方法
4.2.1根据待拆卸拉紧螺栓位置，将液压缸在调节平台上合适位置固定。
4.2.2将棘轮扳手穿入拉紧螺栓螺母内。:
4.2.3启动泵站，操纵控制阀，通过液压缸活塞杆的伸缩推动棘轮扳手对拉紧螺栓螺母进行拆卸或预紧。
4.3优缺点液压拆卸装置操作方便、运行平稳，可以快速实现拉紧螺栓的拆卸或安装，无明显缺点。
