《人工晶体学报》(月刊)创刊于1972年,由中材人工晶体研究院主办。
《人工晶体学报》(本刊刊登材料科学与工程技术方面,涵盖晶体材料:半导体材料、光电子材料、压电晶体材料、纳米材料、薄膜材料、超硬材料和高技术陶瓷,具有创新性、高水平、有重要意义的原始性研究学术论文以及反映学科最新发展状况的文献综述等中英文稿件。获奖情况:1997年获国家科技优秀期刊;获部级优秀科技期刊奖;中国期刊方阵“双效”期刊;1987年获优秀编辑二等奖。
杂志简介:《人工晶体学报》杂志经新闻出版总署批准,自1972年创刊,国内刊号为11-2637/O7,是一本综合性较强的化学期刊。该刊是一份月刊,致力于发表化学领域的高质量原创研究成果、综述及快报。主要栏目:研究快报、研究论文、综合评述、封面图片
《人工晶体学报》(月刊)创刊于1972年,由中材人工晶体研究院主办。
《人工晶体学报》(本刊刊登材料科学与工程技术方面,涵盖晶体材料:半导体材料、光电子材料、压电晶体材料、纳米材料、薄膜材料、超硬材料和高技术陶瓷,具有创新性、高水平、有重要意义的原始性研究学术论文以及反映学科最新发展状况的文献综述等中英文稿件。获奖情况:1997年获国家科技优秀期刊;获部级优秀科技期刊奖;中国期刊方阵“双效”期刊;1987年获优秀编辑二等奖。
《人工晶体学报》杂志学者发表主要的研究主题主要有以下内容:
(一)激光晶体;晶体;晶体生长;籽晶;提拉法
(二)晶体;晶体生长;非线性光学晶体;激光晶体;激光器
(三)单晶生长;单晶体;晶体生长;晶体;多晶合成
(四)单晶生长;晶体;单晶体;晶体生长;多晶合成
(五)晶体生长;晶体;水热法;生长基元;结晶习性
(六)SIC单晶;单晶;单晶生长;籽晶;碳化硅
(七)SIC单晶;碳化硅;籽晶;单晶生长;单晶
(八)太阳电池;薄膜太阳电池;钙钛矿;微晶硅;硅基薄膜太阳电池
(九)晶体;单晶生长;红外透过率;单晶体;多晶合成
(十)晶体;晶体生长;双光子吸收;晶体结构;单晶生长
1、参考文献:特别注意引用近期在国内外高水平期刊杂志中发表的前沿研究论文,不遗漏重要的相关文献。
2、中英文摘要。应包括研究目的、方法、结果和结论等,以300字左右为宜,并标注3~8个规范化的关键词。
3、投稿时请附一简短的第一作者简介,内容包括:作者姓名、性别、出生年月、学位(硕士以上者)、职称、职务、研究方向、联系电话(至少给出办公电话)和E-mail地址及第一作者和通讯作者的ORCID等。
4、论文如属基金项目成果,请在首页地脚标注项目名称和编号等信息。
5、正文标题序号一般按照从大到小四级标题写作,即:“一、”“(一)”“1.”“(1)”。
立即指数:立即指数 (Immediacy Index)是指用某一年中发表的文章在当年被引用次数除以同年发表文章的总数得到的指数;该指数用来评价哪些科技期刊发表了大量热点文章,进而能够衡量该期刊中发表的研究成果是否紧跟研究前沿的步伐。
引证文献:又称来源文献,是指引用了某篇文章的文献,是对本文研究工作的继续、应用、发展或评价。这种引用关系表明了研究的去向,经过验证,引证文献数等于该文献的被引次数。引证文献是学术论著撰写中不可或缺的组成部分,也是衡量学术著述影响大小的重要因素。
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