Microelectronics Reliability-影响因子1.6-首页

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Microelectronics Reliability 杂志简介

《Microelectronics Reliability》重点专注发布工程技术-工程：电子与电气领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今，在工程技术-工程：电子与电气领域，有较高影响力，对来稿文章质量要求较高，稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Microelectronics Reliability 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据

中科院SCI期刊分区（2023年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2022年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月旧的升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月基础版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2020年12月旧的升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：应用	4区 4区 4区	否	否

中科院分区趋势图

影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Microelectronics Reliability 杂志JCR分区

Web of Science 数据库（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	239 / 352	32.2%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	113 / 140	19.6%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q3	131 / 179	27.1%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	272 / 354	23.31%
学科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	114 / 140	18.93%
学科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	140 / 179	22.07%

Microelectronics Reliability CiteScore 评价数据（2024年最新版）

CiteScore：3.3
SJR：0.394
SNIP：0.801

CiteScore 排名

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Safety, Risk, Reliability and Quality	Q2	83 / 207	60%
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q2	395 / 797	50%
大类：Engineering 小类：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q3	118 / 224	47%
大类：Engineering 小类：Condensed Matter Physics	Q3	230 / 434	47%
大类：Engineering 小类：Surfaces, Coatings and Films	Q3	74 / 132	44%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q3	161 / 284	43%

CiteScore趋势图

年发文量趋势图

CiteScore：是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标，该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的，都是可以体现期刊质量的重要指标，给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Microelectronics Reliability 杂志发文统计

文章名称引用次数

Comphy - A compact-physics framework for unified modeling of BTI25
An improved unscented particle filter approach for lithium-ion battery remaining useful life prediction25
Threshold voltage peculiarities and bias temperature instabilities of SiC MOSFETs21
Identification of oxide defects in semiconductor devices: A systematic approach linking DFT to rate equations and experimental evidence16
Controversial issues in negative bias temperature instability13
An Android mutation malware detection based on deep learning using visualization of importance from codes13
A review of NBTI mechanisms and models12
New dynamic electro-thermo-optical model of power LEDs12
Measurement considerations for evaluating BTI effects in SiC MOSFETs11
Border traps and bias-temperature instabilities in MOS devices10

Microelectronics Reliability 杂志社通讯方式

《Microelectronics Reliability》杂志通讯方式为：PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。