Microelectronics Reliability

Microelectronics Reliability SCIE

微电子可靠性杂志

中科院分区:4区 JCR分区:Q3 预计审稿周期: 较快,2-4周 约8.3周

《Microelectronics Reliability》是一本由Elsevier Ltd出版商出版的工程技术国际刊物,国际简称为MICROELECTRON RELIAB,中文名称微电子可靠性。该刊创刊于1964年,出版周期为Monthly。 《Microelectronics Reliability》2023年影响因子为1.6,被收录于国际知名权威数据库SCIE。

ISSN:0026-2714
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
是否预警:否
E-ISSN:1872-941X
出版地区:ENGLAND
Gold OA文章占比:14.36%
语言:English
是否OA:未开放
OA被引用占比:0.0216...
出版商:Elsevier Ltd
出版周期:Monthly
影响因子:1.6
创刊时间:1964
年发文量:310
杂志简介 中科院分区 JCR分区 CiteScore 发文统计 通讯方式 相关杂志 期刊导航

Microelectronics Reliability 杂志简介

《Microelectronics Reliability》重点专注发布工程技术-工程:电子与电气领域的新研究,旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今,在工程技术-工程:电子与电气领域,有较高影响力,对来稿文章质量要求较高,稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Microelectronics Reliability 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据
中科院SCI期刊分区(2023年12月升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院SCI期刊分区(2022年12月升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院SCI期刊分区(2021年12月旧的升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院SCI期刊分区(2021年12月基础版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院SCI期刊分区(2021年12月升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院SCI期刊分区(2020年12月旧的升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区
中科院分区趋势图
影响因子趋势图

中科院JCR分区:中科院JCR期刊分区(又称分区表、分区数据)是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标,一般而言,发表在1区和2区的SCI论文,通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子:是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据,现已成为国际上通用的期刊评价指标,不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标,而且也是测度期刊的学术水平,乃至论文质量的重要指标。

Microelectronics Reliability 杂志JCR分区

Web of Science 数据库(2023-2024年最新版)
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 239 / 352

32.2%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 113 / 140

19.6%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 131 / 179

27.1%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 272 / 354

23.31%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 114 / 140

18.93%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 140 / 179

22.07%

Microelectronics Reliability CiteScore 评价数据(2024年最新版)

  • CiteScore:3.3
  • SJR:0.394
  • SNIP:0.801

CiteScore 排名

学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 83 / 207

60%

大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 395 / 797

50%

大类:Engineering 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q3 118 / 224

47%

大类:Engineering 小类:Condensed Matter Physics Q3 230 / 434

47%

大类:Engineering 小类:Surfaces, Coatings and Films Q3 74 / 132

44%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 161 / 284

43%

CiteScore趋势图
年发文量趋势图

CiteScore:是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标,该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的,都是可以体现期刊质量的重要指标,给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Microelectronics Reliability 杂志发文统计

文章名称引用次数

  • Comphy - A compact-physics framework for unified modeling of BTI25
  • An improved unscented particle filter approach for lithium-ion battery remaining useful life prediction25
  • Threshold voltage peculiarities and bias temperature instabilities of SiC MOSFETs21
  • Identification of oxide defects in semiconductor devices: A systematic approach linking DFT to rate equations and experimental evidence16
  • Controversial issues in negative bias temperature instability13
  • An Android mutation malware detection based on deep learning using visualization of importance from codes13
  • A review of NBTI mechanisms and models12
  • New dynamic electro-thermo-optical model of power LEDs12
  • Measurement considerations for evaluating BTI effects in SiC MOSFETs11
  • Border traps and bias-temperature instabilities in MOS devices10

Microelectronics Reliability 杂志社通讯方式

《Microelectronics Reliability》杂志通讯方式为:PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD, THE BOULEVARD, LANGFORD LANE, KIDLINGTON, OXFORD, ENGLAND, OX5 1GB。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务,SCI检索,确保稿件信息安全保密,合乎学术规范,详情请咨询客服。

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