Microelectronic Engineering

Microelectronic Engineering SCIE

微电子工程杂志

中科院分区:4区 JCR分区:Q2 预计审稿周期: 约6.0个月

《Microelectronic Engineering》是一本由Elsevier出版商出版的工程技术国际刊物,国际简称为MICROELECTRON ENG,中文名称微电子工程。该刊创刊于1983年,出版周期为Monthly。 《Microelectronic Engineering》2023年影响因子为2.6,被收录于国际知名权威数据库SCIE。

ISSN:0167-9317
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
是否预警:否
E-ISSN:1873-5568
出版地区:NETHERLANDS
Gold OA文章占比:15.94%
语言:English
是否OA:未开放
OA被引用占比:0.1274...
出版商:Elsevier
出版周期:Monthly
影响因子:2.6
创刊时间:1983
年发文量:100
杂志简介 中科院分区 JCR分区 CiteScore 发文统计 通讯方式 相关杂志 期刊导航

Microelectronic Engineering 杂志简介

《Microelectronic Engineering》重点专注发布工程技术-工程:电子与电气领域的新研究,旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今,在工程技术-工程:电子与电气领域,有较高影响力,对来稿文章质量要求较高,稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Microelectronic Engineering 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据
中科院SCI期刊分区(2023年12月升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区 4区
中科院SCI期刊分区(2022年12月升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 3区 3区 4区 4区
中科院SCI期刊分区(2021年12月旧的升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 3区 3区 4区 4区
中科院SCI期刊分区(2021年12月基础版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区 4区
中科院SCI期刊分区(2021年12月升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 3区 3区 4区 4区
中科院SCI期刊分区(2020年12月旧的升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 OPTICS 光学 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 3区 3区 3区 3区
中科院分区趋势图
影响因子趋势图

中科院JCR分区:中科院JCR期刊分区(又称分区表、分区数据)是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标,一般而言,发表在1区和2区的SCI论文,通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子:是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据,现已成为国际上通用的期刊评价指标,不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标,而且也是测度期刊的学术水平,乃至论文质量的重要指标。

Microelectronic Engineering 杂志JCR分区

Web of Science 数据库(2023-2024年最新版)
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 157 / 352

55.5%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

33.2%

学科:OPTICS SCIE Q2 45 / 119

62.6%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 81 / 179

55%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58%

学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 74 / 140

47.5%

学科:OPTICS SCIE Q3 64 / 120

47.08%

学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 88 / 179

51.12%

Microelectronic Engineering CiteScore 评价数据(2024年最新版)

  • CiteScore:5.3
  • SJR:0.503
  • SNIP:0.847

CiteScore 排名

学科类别 分区 排名 百分位
大类:Physics and Astronomy 小类:Condensed Matter Physics Q2 127 / 434

70%

大类:Physics and Astronomy 小类:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q2 68 / 224

69%

大类:Physics and Astronomy 小类:Electrical and Electronic Engineering Q2 242 / 797

69%

大类:Physics and Astronomy 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 87 / 284

69%

大类:Physics and Astronomy 小类:Surfaces, Coatings and Films Q2 42 / 132

68%

CiteScore趋势图
年发文量趋势图

CiteScore:是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标,该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的,都是可以体现期刊质量的重要指标,给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Microelectronic Engineering 杂志发文统计

文章名称引用次数

  • Beyond the lateral flow assay: A review of paper-based microfluidics40
  • 3D printed microfluidics and microelectronics36
  • Brain-inspired computing with resistive switching memory (RRAM): Devices, synapses and neural networks36
  • Emerging trends in wide band gap semiconductors (SiC and GaN) technology for power devices32
  • Focused electron beam induced deposition meets materials science29
  • Micropumps and biomedical applications - A review25
  • Conduction mechanisms, dynamics and stability in ReRAMs17
  • Beyond 100 nm resolution in 3D laser lithography - Post processing solutions17
  • Microfluidic platforms for cell cultures and investigations17
  • Using block copolymers as infiltration sites for development of future nanoelectronic devices: Achievements, barriers, and opportunities11

国家/地区发文量

  • CHINA MAINLAND104
  • South Korea80
  • France56
  • USA47
  • Japan45
  • GERMANY (FED REP GER)41
  • India36
  • Taiwan31
  • Greece27
  • Italy27

机构发文发文量

  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)38
  • CEA22
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES18
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES15
  • FUDAN UNIVERSITY14
  • TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK13
  • AUTONOMOUS UNIVERSITY OF BARCELONA12
  • CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE (CNR)12
  • NATIONAL CENTRE OF SCIENTIFIC RESEARCH DEMOKRITOS12
  • CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC)10

Microelectronic Engineering 杂志社通讯方式

《Microelectronic Engineering》杂志通讯方式为:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务,SCI检索,确保稿件信息安全保密,合乎学术规范,详情请咨询客服。

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