Ieee Electron Device Letters-影响因子4.1-首页

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Ieee Electron Device Letters 杂志简介

《Ieee Electron Device Letters》重点专注发布工程技术-工程：电子与电气领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。根据网友分享的投稿经验，平均审稿速度为约1.3个月。该杂志创刊至今，在工程技术-工程：电子与电气领域，影响力非凡，对来稿文章质量要求很高，稿件投稿过审难度很大，刊登文章的学术水平和编辑质量在同类杂志中均名列前茅。如果你想在该杂志上发表论文，你可以向编辑部提交文章，但文章必须具有重要意义并代表该领域专业的发展。我们欢迎广大同领域的研究者提交投稿。

Ieee Electron Device Letters 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据

中科院SCI期刊分区（2023年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院SCI期刊分区（2022年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月旧的升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月基础版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院SCI期刊分区（2020年12月旧的升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	2区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	2区	否	否

中科院分区趋势图

影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Ieee Electron Device Letters 杂志JCR分区

Web of Science 数据库（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	94 / 352	73.4%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q1	77 / 354	78.39%

Ieee Electron Device Letters CiteScore 评价数据（2024年最新版）

CiteScore：8.2
SJR：1.25
SNIP：1.5

CiteScore 排名

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q1	128 / 797	84%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q1	51 / 284	82%

CiteScore趋势图

年发文量趋势图

CiteScore：是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标，该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的，都是可以体现期刊质量的重要指标，给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Ieee Electron Device Letters 杂志发文统计

文章名称引用次数
Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage > 1 kV38
An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor36
Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O3 MOSFETs28
Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque27
Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping27
beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transistors With Current Gain Cutoff Frequency of 27 GHz26
Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation24
1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs24
Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga's Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm(2)23
First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications22
国家/地区发文量
CHINA MAINLAND577
USA282
South Korea174
Taiwan123
Japan65
England60
India49
Belgium37
GERMANY (FED REP GER)37
France32
机构发文发文量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES84
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM70
XIDIAN UNIVERSITY56
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY49
HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY48
PEKING UNIVERSITY42
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA42
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)36
IMEC35
NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY35

Ieee Electron Device Letters 杂志社通讯方式

《Ieee Electron Device Letters》杂志通讯方式为：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。