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Ieee Electron Device Letters

Ieee Electron Device Letters SCIE

IEEE 电子器件字母杂志

中科院分区：2区 JCR分区：Q2 预计审稿周期： 约1.3个月

《Ieee Electron Device Letters》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技术国际刊物，国际简称为IEEE ELECTR DEVICE L，中文名称IEEE 电子器件字母。该刊创刊于1980年，出版周期为Monthly。 《Ieee Electron Device Letters》2023年影响因子为4.1，被收录于国际知名权威数据库SCIE。

ISSN：0741-3106
研究方向：工程技术-工程：电子与电气
是否预警：否
E-ISSN：1558-0563
出版地区：UNITED STATES
Gold OA文章占比：4.62%
语言：English
是否OA：未开放
OA被引用占比：0
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Monthly
影响因子：4.1
创刊时间：1980
年发文量：477
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杂志简介 中科院分区 JCR分区 CiteScore 发文统计 通讯方式 相关杂志 期刊导航

Ieee Electron Device Letters 杂志简介

《Ieee Electron Device Letters》重点专注发布工程技术-工程：电子与电气领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。根据网友分享的投稿经验，平均审稿速度为 约1.3个月 。该杂志创刊至今，在工程技术-工程：电子与电气领域，影响力非凡，对来稿文章质量要求很高，稿件投稿过审难度很大，刊登文章的学术水平和编辑质量在同类杂志中均名列前茅。如果你想在该杂志上发表论文，你可以向编辑部提交文章，但文章必须具有重要意义并代表该领域专业的发展。我们欢迎广大同领域的研究者提交投稿。

Ieee Electron Device Letters 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据
中科院SCI期刊分区（2023年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院SCI期刊分区（2022年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院SCI期刊分区（2021年12月旧的升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院SCI期刊分区（2021年12月基础版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院SCI期刊分区（2021年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院SCI期刊分区（2020年12月旧的升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 2区 否 否
中科院分区趋势图
影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Ieee Electron Device Letters 杂志JCR分区

Web of Science 数据库（2023-2024年最新版）
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352

73.4%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354

78.39%

Ieee Electron Device Letters CiteScore 评价数据（2024年最新版）

  • CiteScore：8.2
  • SJR：1.25
  • SNIP：1.5

CiteScore 排名

学科类别 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797

84%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284

82%
CiteScore趋势图
年发文量趋势图

CiteScore：是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标，该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的，都是可以体现期刊质量的重要指标，给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Ieee Electron Device Letters 杂志发文统计

文章名称引用次数

  • Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage > 1 kV38
  • An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor36
  • Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O3 MOSFETs28
  • Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque27
  • Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping27
  • beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transistors With Current Gain Cutoff Frequency of 27 GHz26
  • Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation24
  • 1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs24
  • Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga's Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm(2)23
  • First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications22

国家/地区发文量

  • CHINA MAINLAND577
  • USA282
  • South Korea174
  • Taiwan123
  • Japan65
  • England60
  • India49
  • Belgium37
  • GERMANY (FED REP GER)37
  • France32

机构发文发文量

  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES84
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM70
  • XIDIAN UNIVERSITY56
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY49
  • HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY48
  • PEKING UNIVERSITY42
  • UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA42
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)36
  • IMEC35
  • NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY35

Ieee Electron Device Letters 杂志社通讯方式

《Ieee Electron Device Letters》杂志通讯方式为：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。

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