Ieee Electron Device Letters

Ieee Electron Device Letters SCIE

IEEE 电子器件字母杂志

中科院分区:2区 JCR分区:Q2 预计审稿周期: 约1.3个月

《Ieee Electron Device Letters》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技术国际刊物,国际简称为IEEE ELECTR DEVICE L,中文名称IEEE 电子器件字母。该刊创刊于1980年,出版周期为Monthly。 《Ieee Electron Device Letters》2023年影响因子为4.1,被收录于国际知名权威数据库SCIE。

ISSN:0741-3106
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
是否预警:否
E-ISSN:1558-0563
出版地区:UNITED STATES
Gold OA文章占比:4.62%
语言:English
是否OA:未开放
OA被引用占比:0
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期:Monthly
影响因子:4.1
创刊时间:1980
年发文量:477
杂志简介 中科院分区 JCR分区 CiteScore 发文统计 通讯方式 相关杂志 期刊导航

Ieee Electron Device Letters 杂志简介

《Ieee Electron Device Letters》重点专注发布工程技术-工程:电子与电气领域的新研究,旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。根据网友分享的投稿经验,平均审稿速度为 约1.3个月 。该杂志创刊至今,在工程技术-工程:电子与电气领域,影响力非凡,对来稿文章质量要求很高,稿件投稿过审难度很大,刊登文章的学术水平和编辑质量在同类杂志中均名列前茅。如果你想在该杂志上发表论文,你可以向编辑部提交文章,但文章必须具有重要意义并代表该领域专业的发展。我们欢迎广大同领域的研究者提交投稿。

Ieee Electron Device Letters 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据
中科院SCI期刊分区(2023年12月升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区
中科院SCI期刊分区(2022年12月升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区
中科院SCI期刊分区(2021年12月旧的升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区
中科院SCI期刊分区(2021年12月基础版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区
中科院SCI期刊分区(2021年12月升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区
中科院SCI期刊分区(2020年12月旧的升级版)
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 2区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 2区
中科院分区趋势图
影响因子趋势图

中科院JCR分区:中科院JCR期刊分区(又称分区表、分区数据)是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标,一般而言,发表在1区和2区的SCI论文,通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子:是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据,现已成为国际上通用的期刊评价指标,不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标,而且也是测度期刊的学术水平,乃至论文质量的重要指标。

Ieee Electron Device Letters 杂志JCR分区

Web of Science 数据库(2023-2024年最新版)
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 94 / 352

73.4%

按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q1 77 / 354

78.39%

Ieee Electron Device Letters CiteScore 评价数据(2024年最新版)

  • CiteScore:8.2
  • SJR:1.25
  • SNIP:1.5

CiteScore 排名

学科类别 分区 排名 百分位
大类:Engineering 小类:Electrical and Electronic Engineering Q1 128 / 797

84%

大类:Engineering 小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 51 / 284

82%

CiteScore趋势图
年发文量趋势图

CiteScore:是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标,该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的,都是可以体现期刊质量的重要指标,给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Ieee Electron Device Letters 杂志发文统计

文章名称引用次数

  • Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage > 1 kV38
  • An Artificial Neuron Based on a Threshold Switching Memristor36
  • Recessed-Gate Enhancement-Mode beta-Ga2O3 MOSFETs28
  • Spin Logic Devices via Electric Field Controlled Magnetization Reversal by Spin-Orbit Torque27
  • Current Aperture Vertical beta-Ga2O3 MOSFETs Fabricated by N- and Si-Ion Implantation Doping27
  • beta-Ga2O3 Delta-Doped Field-Effect Transistors With Current Gain Cutoff Frequency of 27 GHz26
  • Vertical Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Guard Ring Formed by Nitrogen-Ion Implantation24
  • 1.85 kV Breakdown Voltage in Lateral Field-Plated Ga2O3 MOSFETs24
  • Vertical Ga(2)O(3 )Schottky Barrier Diodes With Small-Angle Beveled Field Plates: A Baliga's Figure-of-Merit of 0.6 GW/cm(2)23
  • First Demonstration of a Logic-Process Compatible Junctionless Ferroelectric FinFET Synapse for Neuromorphic Applications22

国家/地区发文量

  • CHINA MAINLAND577
  • USA282
  • South Korea174
  • Taiwan123
  • Japan65
  • England60
  • India49
  • Belgium37
  • GERMANY (FED REP GER)37
  • France32

机构发文发文量

  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES84
  • UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM70
  • XIDIAN UNIVERSITY56
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY49
  • HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY48
  • PEKING UNIVERSITY42
  • UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA42
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)36
  • IMEC35
  • NATIONAL SUN YAT SEN UNIVERSITY35

Ieee Electron Device Letters 杂志社通讯方式

《Ieee Electron Device Letters》杂志通讯方式为:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务,SCI检索,确保稿件信息安全保密,合乎学术规范,详情请咨询客服。

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