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Ieee Transactions On Device And Materials Reliability

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability SCIE

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability杂志

中科院分区：3区 JCR分区：Q2 预计审稿周期： 较慢,6-12周

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技术国际刊物，国际简称为IEEE T DEVICE MAT RE，中文名称IEEE Transactions on Device and Materials Reliability。该刊创刊于2001年，出版周期为Quarterly。 《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》2023年影响因子为2.5，被收录于国际知名权威数据库SCIE。

ISSN：1530-4388
研究方向：工程技术-工程：电子与电气
是否预警：否
E-ISSN：1558-2574
出版地区：UNITED STATES
Gold OA文章占比：24.52%
语言：English
是否OA：未开放
OA被引用占比：0
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：Quarterly
影响因子：2.5
创刊时间：2001
年发文量：72
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杂志简介 中科院分区 JCR分区 CiteScore 发文统计 通讯方式 相关杂志 期刊导航

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 杂志简介

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》重点专注发布工程技术-工程：电子与电气领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今，在工程技术-工程：电子与电气领域，有较高影响力，对来稿文章质量要求较高，稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据
中科院SCI期刊分区（2023年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 3区 否 否
中科院SCI期刊分区（2022年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 3区 否 否
中科院SCI期刊分区（2021年12月旧的升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 3区 否 否
中科院SCI期刊分区（2021年12月基础版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 4区 4区 否 否
中科院SCI期刊分区（2021年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 3区 3区 否 否
中科院SCI期刊分区（2020年12月旧的升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 PHYSICS, APPLIED 物理：应用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区 4区 否 否
中科院分区趋势图
影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 杂志JCR分区

Web of Science 数据库（2023-2024年最新版）
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 87 / 179

51.7%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 186 / 354

47.6%
学科：PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 99 / 179

44.97%

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability CiteScore 评价数据（2024年最新版）

  • CiteScore：4.8
  • SJR：0.436
  • SNIP：1.148

CiteScore 排名

学科类别 分区 排名 百分位
大类：Engineering 小类：Safety, Risk, Reliability and Quality Q2 65 / 207

68%
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering Q2 274 / 797

65%
大类：Engineering 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 103 / 284

63%
CiteScore趋势图
年发文量趋势图

CiteScore：是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标，该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的，都是可以体现期刊质量的重要指标，给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 杂志发文统计

文章名称引用次数

  • A First-Principles Study of the SF6 Decomposed Products Adsorbed Over Defective WS2 Monolayer as Promising Gas Sensing Device23
  • Understanding BTI in SiC MOSFETs and Its Impact on Circuit Operation9
  • Comparative Thermal and Structural Characterization of Sintered Nano-Silver and High-Lead Solder Die Attachments During Power Cycling9
  • Output-Power Enhancement for Hot Spotted Polycrystalline Photovoltaic Solar Cells8
  • Rapid Solder Interconnect Fatigue Life Test Methodology for Predicting Thermomechanical Reliability7
  • Study of Long Term Drift of Aluminum Oxide Thin Film Capacitive Moisture Sensor7
  • Impacts of Process and Temperature Variations on the Crosstalk Effects in Sub-10 nm Multilayer Graphene Nanoribbon Interconnects6
  • Comparative Study of Reliability of Ferroelectric and Anti-Ferroelectric Memories6
  • A Compact and Self-Isolated Dual-Directional Silicon Controlled Rectifier (SCR) for ESD Applications6
  • A Review on Hot-Carrier-Induced Degradation of Lateral DMOS Transistor6

国家/地区发文量

  • USA52
  • CHINA MAINLAND51
  • India50
  • Taiwan35
  • France20
  • Italy18
  • Belgium15
  • Austria14
  • Japan13
  • GERMANY (FED REP GER)12

机构发文发文量

  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)23
  • IMEC15
  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)14
  • STMICROELECTRONICS10
  • TECHNISCHE UNIVERSITAT WIEN9
  • NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY8
  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY8
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES7
  • GLOBALFOUNDRIES7
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES6

Ieee Transactions On Device And Materials Reliability 杂志社通讯方式

《Ieee Transactions On Device And Materials Reliability》杂志通讯方式为：IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。

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