Chinese Physics B-影响因子1.5-首页

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Chinese Physics B 杂志简介

《Chinese Physics B》重点专注发布物理-物理：综合领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今，在物理-物理：综合领域，有较高影响力，对来稿文章质量要求较高，稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Chinese Physics B 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据

中科院SCI期刊分区（2023年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
物理与天体物理	4区	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：综合	4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2022年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
物理与天体物理	3区	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：综合	3区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月旧的升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
物理与天体物理	3区	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：综合	3区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月基础版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
物理	3区	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：综合	3区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
物理与天体物理	3区	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：综合	3区	否	否

中科院SCI期刊分区（2020年12月旧的升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
物理与天体物理	3区	PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY 物理：综合	3区	否	否

中科院分区趋势图

影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Chinese Physics B 杂志JCR分区

Web of Science 数据库（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q2	55 / 110	50.5%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q2	55 / 110	50.45%

Chinese Physics B CiteScore 评价数据（2024年最新版）

CiteScore：2.8
SJR：0.35
SNIP：0.5

CiteScore 排名

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Physics and Astronomy 小类：General Physics and Astronomy	Q2	118 / 243	51%

CiteScore趋势图

年发文量趋势图

CiteScore：是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标，该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的，都是可以体现期刊质量的重要指标，给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Chinese Physics B 杂志发文统计

文章名称引用次数

Black phosphorus-based field effect transistor devices for Ag ions detection27
A new nonlinear oscillator with infinite number of coexisting hidden and self-excited attractors27
A theoretical study of a plasmonic sensor comprising a gold nano-disk array on gold film with a SiO2 spacer27
Fundamental and progress of Bi2Te3-based thermoelectric materials24
Effects of filler loading and surface modification on electrical and thermal properties of epoxy/montmorillonite composite23
Optoelectronic properties analysis of silicon light-emitting diode monolithically integrated in standard CMOS IC18
MXene Ti3C2Tx saturable absorber for pulsed laser at 1.3 mu M18
Photodetectors based on inorganic halide perovskites: Materials and devices17
Review of deep ultraviolet photodetector based on gallium oxide15
Imaging the diffusion pathway of Al3+ ion in NASICON-type (Al0.2Zr0.8)(20/19)Nb(PO4)(3) as electrolyte for rechargeable solid-state Al batteries15

Chinese Physics B 杂志社通讯方式

《Chinese Physics B》杂志通讯方式为：IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。