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Iet Circuits Devices & Systems 杂志简介

《Iet Circuits Devices & Systems》重点专注发布工程技术-工程：电子与电气领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今，在工程技术-工程：电子与电气领域，有较高影响力，对来稿文章质量要求较高，稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Iet Circuits Devices & Systems 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据

中科院SCI期刊分区（2023年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2022年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月旧的升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月基础版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2020年12月旧的升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	4区	否	否

中科院分区趋势图

影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Iet Circuits Devices & Systems 杂志JCR分区

Web of Science 数据库（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	285 / 352	19.2%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	287 / 354	19.07%

Iet Circuits Devices & Systems CiteScore 评价数据（2024年最新版）

CiteScore：3.8
SJR：0.289
SNIP：0.595

CiteScore 排名

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Engineering 小类：Control and Systems Engineering	Q2	137 / 321	57%
大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q2	350 / 797	56%

CiteScore趋势图

年发文量趋势图

CiteScore：是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标，该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的，都是可以体现期刊质量的重要指标，给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Iet Circuits Devices & Systems 杂志发文统计

文章名称引用次数
Novel CNFET ternary circuit techniques for high-performance and energy-efficient design10
Novel CMOS MO-CFDITA based fully electronically controlled square/triangular wave generator with adjustable duty cycle7
Efficient designs of reversible latches with low quantum cost7
Efficient design of coplanar ripple carry adder in QCA7
Widely tunable low-pass g(m) - C filter for biomedical applications6
Tuning approach for first-order filters and new current-mode circuit example6
Transmission gate-based 9T SRAM cell for variation resilient low power and reliable internet of things applications6
Fault-tolerant delay cell for ring oscillator application in 65 nm CMOS technology5
Light activation of noise at microwave frequencies: a study on scaled gallium arsenide HEMT's5
Analytical modelling and parameters extraction of multilayered OLED5
国家/地区发文量
India169
CHINA MAINLAND68
Iran53
USA35
Canada22
Taiwan21
South Korea17
Turkey14
Egypt9
France9
机构发文发文量
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM)47
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)37
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY17
JADAVPUR UNIVERSITY11
XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY10
SHAHID BAHONAR UNIVERSITY OF KERMAN (SBUK)8
BIRLA INSTITUTE OF TECHNOLOGY & SCIENCE PILANI (BITS PILANI)6
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY6
ANNA UNIVERSITY5
BRNO UNIVERSITY OF TECHNOLOGY5

Iet Circuits Devices & Systems 杂志社通讯方式

《Iet Circuits Devices & Systems》杂志通讯方式为：WILEY, 111 RIVER ST, HOBOKEN, USA, NJ, 07030-5774。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。