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Ieee Journal Of The Electron Devices Society

Ieee Journal Of The Electron Devices Society SCIE

IEEE电子器件学会杂志杂志

中科院分区：3区 JCR分区：Q3 预计审稿周期： 9 Weeks

《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技术国际刊物，国际简称为IEEE J ELECTRON DEVI，中文名称IEEE电子器件学会杂志。该刊创刊于2013年，出版周期为1 issue/year。 《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》2023年影响因子为2，被收录于国际知名权威数据库SCIE。

ISSN：2168-6734
研究方向：Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology
是否预警：否
E-ISSN：2168-6734
出版地区：UNITED STATES
Gold OA文章占比：97.60%
语言：English
是否OA：开放
OA被引用占比：1
出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期：1 issue/year
影响因子：2
创刊时间：2013
年发文量：92
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杂志简介 中科院分区 JCR分区 CiteScore 发文统计 通讯方式 相关杂志 期刊导航

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 杂志简介

《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》重点专注发布Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今，在Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology领域，有较高影响力，对来稿文章质量要求较高，稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据
中科院SCI期刊分区（2023年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 4区 否 否
中科院SCI期刊分区（2022年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区 否 否
中科院SCI期刊分区（2021年12月旧的升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区 否 否
中科院SCI期刊分区（2021年12月基础版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 4区 否 否
中科院SCI期刊分区（2021年12月升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区 否 否
中科院SCI期刊分区（2020年12月旧的升级版）
大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 3区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气 3区 否 否
中科院分区趋势图
影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 杂志JCR分区

Web of Science 数据库（2023-2024年最新版）
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 202 / 352

42.8%
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58%

Ieee Journal Of The Electron Devices Society CiteScore 评价数据（2024年最新版）

  • CiteScore：5.2
  • SJR：0.505
  • SNIP：0.955

CiteScore 排名

学科类别 分区 排名 百分位
大类：Materials Science 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 90 / 284

68%
大类：Materials Science 小类：Electrical and Electronic Engineering Q2 253 / 797

68%
大类：Materials Science 小类：Biotechnology Q2 139 / 311

55%
CiteScore趋势图
年发文量趋势图

CiteScore：是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标，该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的，都是可以体现期刊质量的重要指标，给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 杂志发文统计

文章名称引用次数

  • FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability21
  • Characterization and Compact Modeling of Nanometer CMOS Transistors at Deep-Cryogenic Temperatures19
  • Characterization and Modeling of 28-nm Bulk CMOS Technology Down to 4.2 K14
  • Cryogenic Temperature Characterization of a 28-nm FD-SOI Dedicated Structure for Advanced CMOS and Quantum Technologies Co-Integration11
  • Hysteresis Reduction in Negative Capacitance Ge PFETs Enabled by Modulating Ferroelectric Properties in HfZrOx11
  • Tunneling Transistors Based on MoS2/MoTe2 Van der Waals Heterostructures11
  • Direct Correlation of Ferroelectric Properties and Memory Characteristics in Ferroelectric Tunnel Junctions10
  • Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memory With High TER and Multi-Level Operation Featuring Metal Replacement Process10
  • Development and Fabrication of AlGaInP-Based Flip-Chip Micro-LEDs10
  • Experimental Investigations of State-of-the-Art 650-V Class Power MOSFETs for Cryogenic Power Conversion at 77K10

国家/地区发文量

  • CHINA MAINLAND168
  • USA99
  • Taiwan98
  • South Korea74
  • Japan61
  • India40
  • France29
  • GERMANY (FED REP GER)27
  • Switzerland23
  • Belgium20

机构发文发文量

  • NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY35
  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)22
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES20
  • ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE18
  • NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY17
  • UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA17
  • NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY15
  • SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)15
  • SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY15
  • PEKING UNIVERSITY14

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 杂志社通讯方式

《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》杂志通讯方式为：445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。

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