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Ieee Journal Of The Electron Devices Society 杂志简介

《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》重点专注发布Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology领域的新研究，旨在促进和传播该领域相关的新技术和新知识。鼓励该领域研究者详细地发表他们的高质量实验研究和理论结果。该杂志创刊至今，在Biochemistry, Genetics and Molecular Biology-Biotechnology领域，有较高影响力，对来稿文章质量要求较高，稿件投稿过审难度较大。欢迎广大同领域研究者投稿该杂志。

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 杂志中科院分区

中科院SCI分区数据

中科院SCI期刊分区（2023年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2022年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	3区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月旧的升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	3区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月基础版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	4区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	4区	否	否

中科院SCI期刊分区（2021年12月升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	3区	否	否

中科院SCI期刊分区（2020年12月旧的升级版）

大类学科	分区	小类学科	分区	Top期刊	综述期刊
工程技术	3区	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：电子与电气	3区	否	否

中科院分区趋势图

影响因子趋势图

中科院JCR分区：中科院JCR期刊分区（又称分区表、分区数据）是中国科学院文献情报中心世界科学前沿分析中心的科学研究成果，是衡量学术期刊影响力的一个重要指标，一般而言，发表在1区和2区的SCI论文，通常被认为是该学科领域的比较重要的成果。

影响因子：是汤森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引证报告(Journal Citation Reports,JCR)中的一项数据，现已成为国际上通用的期刊评价指标，不仅是一种测度期刊有用性和显示度的指标，而且也是测度期刊的学术水平，乃至论文质量的重要指标。

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 杂志JCR分区

Web of Science 数据库（2023-2024年最新版）

按JIF指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	202 / 352	42.8%

按JCI指标学科分区	收录子集	分区	排名	百分位
学科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	179 / 354	49.58%

Ieee Journal Of The Electron Devices Society CiteScore 评价数据（2024年最新版）

CiteScore：5.2
SJR：0.505
SNIP：0.955

CiteScore 排名

学科类别	分区	排名	百分位
大类：Materials Science 小类：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	90 / 284	68%
大类：Materials Science 小类：Electrical and Electronic Engineering	Q2	253 / 797	68%
大类：Materials Science 小类：Biotechnology	Q2	139 / 311	55%

CiteScore趋势图

年发文量趋势图

CiteScore：是由Elsevier2016年发布的一个评价学术期刊质量的指标，该指标是指期刊发表的单篇文章平均被引用次数。CiteScore和影响因子的作用是一样的，都是可以体现期刊质量的重要指标，给选刊的作者了解期刊水平提供帮助。

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 杂志发文统计

文章名称引用次数
FinFET Versus Gate-All-Around Nanowire FET: Performance, Scaling, and Variability21
Characterization and Compact Modeling of Nanometer CMOS Transistors at Deep-Cryogenic Temperatures19
Characterization and Modeling of 28-nm Bulk CMOS Technology Down to 4.2 K14
Cryogenic Temperature Characterization of a 28-nm FD-SOI Dedicated Structure for Advanced CMOS and Quantum Technologies Co-Integration11
Hysteresis Reduction in Negative Capacitance Ge PFETs Enabled by Modulating Ferroelectric Properties in HfZrOx11
Tunneling Transistors Based on MoS2/MoTe2 Van der Waals Heterostructures11
Direct Correlation of Ferroelectric Properties and Memory Characteristics in Ferroelectric Tunnel Junctions10
Ferroelectric HfO2 Tunnel Junction Memory With High TER and Multi-Level Operation Featuring Metal Replacement Process10
Development and Fabrication of AlGaInP-Based Flip-Chip Micro-LEDs10
Experimental Investigations of State-of-the-Art 650-V Class Power MOSFETs for Cryogenic Power Conversion at 77K10
国家/地区发文量
CHINA MAINLAND168
USA99
Taiwan98
South Korea74
Japan61
India40
France29
GERMANY (FED REP GER)27
Switzerland23
Belgium20
机构发文发文量
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY35
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)22
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES20
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE18
NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY17
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA17
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY15
SEOUL NATIONAL UNIVERSITY (SNU)15
SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY15
PEKING UNIVERSITY14

Ieee Journal Of The Electron Devices Society 杂志社通讯方式

《Ieee Journal Of The Electron Devices Society》杂志通讯方式为：445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。详细征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站可提供SCI投稿辅导服务，SCI检索，确保稿件信息安全保密，合乎学术规范，详情请咨询客服。